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一种高电源抑制比CMOS能源基准电压源
介绍了一个采用0.6μm数字CMOS工艺制作的能隙基准电压源电路,该电路具有小的硅片面积(0.06mm^2)、高电源抑制比和较低温度系数。在该电路应用于高精度......
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能隙基准电压源
电源抑制比
温度系数
IC
Bandgapvoltagereference
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